hace 12 años
alonso zarate.
Con mucho gusto, te quiero colaborar con ésta información:
" NTE - O también ECG C4460"
NTE2594 Silicon NPN Transistor
High Volt C4460
age, High Current Switch
Features:
_ High Breakdown Voltage, High Reliability
_ Fast Switching Speed
_ Wide ASO
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Pulsed (PW ≤300s, Duty Cycle ≤10%) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Collector Dissipation, PC
TA = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
TC = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55to +150C
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current ICBO VCB = 500V, IE = 0 – – 10 A
Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 5V, IC = 0 – – 10 A
DC Current Gain hFE VCE = 5V, IC = 1.2A 15 – 50
VCE = 5V, IC = 6A 8 – –
Gain Bandwidth Product fT VCE = 10V, IC = 1.2A – 18 – MHz
Output Capacitance Cob VCB = 10V, f = 1MHz – 160 – pF
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 6A, IB = 1.2A – – 1.0 V
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 6A, IB = 1.2A – – 1.5 V
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0 800 – – V
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 5mA, RBE = ∞500 – – V
Emitter–Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0 7 – – V
Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEX(sus) IC = 5A, IB1 = IB2 = 2A, L = 500H,
Clamped
500 – – V
Turn–On Time ton 5IB1 = –2.5IB2 = IC = 7A,

– – 0.5 s
Storage Time tstg
VCC = 200V, RL = 28.6– – 3.0 s
Fall Time tf – – 0.3 s
.866
(22.0)
.221 (5.6) .134 (3.4) Dia
.158 (4.0)
.630 (16.0)
.804
(20.4)
.315
(8.0)
.123 (3.1)
.215 (5.45)
B C E
C
.040 (1.0)
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