Bueno amigos, después de hacer diversos diseños con el programa de simulación AWR microwave office basados en modelos spice de transistores como por ejemplo el 2n3553, y optimizar estos diseños mediante load pull.. etc me he dado cuenta de que en la implementación práctica hay que retocar muchas cosas y que no se parece casi nada a lo simulado. Primero de todo, la señal semisinusoidal típica de un clase C no está presente en el colector, en cambio lo que hay es más sinusoidal (efecto de filtrado de la red de salida...). El rendimiento no supera el 50%, el transistor tiene un 50% de rendimiento de colector pero no se si eso me impide conseguir más rendimiento en clase C, yo diría que de por si podría conseguir rendimientos más altos que un 50%. He montado un clase C con un 2sc1765, que recibe una poténcia de 20mW en la entrada y entrega 3W en total (armónicos incluidos). El voltaje es 13,8V y consume unos 400mA. He ajustado con un medidor de swr la red de entrada para que los 20mW se transmitan íntegramente al transistor (adaptación de entrada). ¿Alguien sabe como se suele elejir el valor de la bobina de colector? (no el choque que la sigue, si no la bobina que hace de almacenadora de energía). No dispongo de modelos spice fiables y supongo que eso es un problema a la hora de implementar prácticamente el diseño... si alguien sabe de alguna página donde existan spices de transistores típicos (2sc1971 1947, mrf237....) le estaría muy agradecido, y sobretodo saber si alguien tiene idea de las reglas de diseño cuando no se tiene un modelo exacto del transistor. Me interesaría construir un clase C que reciba un par de vatios y sea capaz de sacarme 15 o 20W en 70Mhz. Actualmente estoy probando con un antiguo transistor pnp 2n5162 metiendole 1W pero me consume más de 1A y se calienta mucho.... Gracias de antemano.

Y con respecto a la bobina de colector?, existe algún criterio para elegir la que de mejor rendimiento?. Saludos.

[quote="Karsten"]Bueno amigos, después de hacer diversos diseños con el programa de simulación AWR microwave office basados en modelos spice de transistores como por ejemplo el 2n3553, y optimizar estos diseños mediante load pull.. etc me he dado cuenta de que en la implementación práctica hay que retocar muchas cosas y que no se parece casi nada a lo simulado. Primero de todo, la señal semisinusoidal típica de un clase C no está presente en el colector, en cambio lo que hay es más sinusoidal (efecto de filtrado de la red de salida...). El rendimiento no supera el 50%, el transistor tiene un 50% de rendimiento de colector pero no se si eso me impide conseguir más rendimiento en clase C, yo diría que de por si podría conseguir rendimientos más altos que un 50%. He montado un clase C con un 2sc1765, que recibe una poténcia de 20mW en la entrada y entrega 3W en total (armónicos incluidos). El voltaje es 13,8V y consume unos 400mA. He ajustado con un medidor de swr la red de entrada para que los 20mW se transmitan íntegramente al transistor (adaptación de entrada). ¿Alguien sabe como se suele elejir el valor de la bobina de colector? (no el choque que la sigue, si no la bobina que hace de almacenadora de energía). No dispongo de modelos spice fiables y supongo que eso es un problema a la hora de implementar prácticamente el diseño... si alguien sabe de alguna página donde existan spices de transistores típicos (2sc1971 1947, mrf237....) le estaría muy agradecido, y sobretodo saber si alguien tiene idea de las reglas de diseño cuando no se tiene un modelo exacto del transistor. Me interesaría construir un clase C que reciba un par de vatios y sea capaz de sacarme 15 o 20W en 70Mhz. Actualmente estoy probando con un antiguo transistor pnp 2n5162 metiendole 1W pero me consume más de 1A y se calienta mucho.... Gracias de antemano.[/quote] Hola...Solo te puedo decir que en la realidad el promedio de una etapa de salida de RF clase C ronda en el mejor de los casos el 50%. Los transistores que estas listando están discontinuados de la fabricación en la mayoría de los casos o puedes encontrar solo falsificaciones. Con semejantes rendimiento(la mitad) en el mejor de los casos el resto sabes que se convertirá en calor que hay que evacuar a niveles tolerables para el circuito en si por lo que el calentamiento es bastante "normal". Generalmente hoy en día se usan transistores FET que con muy poca excitación obtienes buena potencia(los rendimientos siguen parecidos o peores en el caso de "banda ancha")...lo obtienes en diversas especificaciones y capsulado. Te sugiero que veas en http://www.rfparts.com/ mas que nada por que están las hojas de datos técnicos de los mismos y las especificaciones. Saludos. Ric.

considero oportuno revisar el contenido deste link : http://www.qsl.net/lw1ecp/MaldOscs/MaldOscs.htm podria ser util tener un receptor cerca para observar los pitidos si ubieren oscilaciones parasitas en las etapas que estas ajustando como indicaciones de realimentaciones indeseadas ,considerar descoplos generosos en la fuente de alimentacion y de las lineas a los colectores de los transistores , las orientaciones de las bobinas entre la entradas y salidas como entre etapas pueden contribuir a la aparicion de estas molestias ,puede ser oportuno colocar en paralelo con los choques de colector resistencias de 300 o 1000 ohms 1 watt para evitar el los calentamientos excesivos indican por un lado oscilaciones indeseadas como tambien que la potencia desarrollada por el transistor no es adaptada a la antena o ala etapa que le sigue suerte y mucha paciencia

Buenas y santas, estimado amigo, según mis conocimientos, un amplificador en clase C debe rendir un 70%, las clases de trabajo depende del punto de polarización asimismo de los valores de las tensiones de trabajo y la frecuencia de trabajo,normalmente para trabajar en clase C se usa un tanque Pi en la etapa final del transmisor así sea el mismo trabajado con transistores ó válvulas.Según mis conocimientos una etapa final en clase A debe rendir un 50%,en clase AB es intermedio de las clases A y B,en clase B la etapa rinde un 60% y forzósamente se utilizan dos transistores ya que cada uno amplifica medio ciclo de la señal cada uno dependiendo también de cómo se configure la etapa, sea en Push-Pull ó en configuración simétrica -paralelo,en clase C el ó los transistores amplifican menos de medio ciclo y por ende la señal ya no es una sinusoide pura y la señal amplificada se recompone en el tanque final de salida.Es todo cuánto puedo aportar, si le sirve bién sino simplemente aporté algo de mis conocimientos para tratar de ayudarlo.Atte canario II .Saludos y muchos dx`s.