Hola me llamo Marcelo y soy tecnico electronico, queria consultar un problema que me ha surgido con este lineal para FM que originalmente los planos son para el BLF177, pero consegui el MRF150 de MACOM. Lo que he probado es con el excitador de 7 vatios a la placa del lineal ajustando los capacitores variables de entrada para obtener el minimo ROE me produce un exceso de temperatura en 2 resistencias de 100 ohms de la tension de BIAS a gate del transistor, se cae de maduro que mucha RF esta pasando por estas mismas a tierra por los dos capacitores en paralelo de 10nF que se ven en la imagen. Alguien me podria decir que estoy haciendo mal? El Mosfet todavia no lo he soldado en la placa, no quiero correr riesgos hasta hacer todas las pruebas anteriores a la puestas en funcionamiento. Saludos.

El voltaje de polarización de la base, siempre debe ser aplicado usando un choque de RF, para evitar que la RF de entrada,vaya al circuito de ajuste del voltaje de la base y lo altere. Después de las resistencias de 100 ohmios debe ir el choque con sus condensadores de desacople en la unión de las resistencias con el choque y el otro extremo del choque a la base.. Es posible tambien reemplazar las dos resistencias por un choque de 100 uh. A veces los choque miniatura se parecen a las resistencias, Manuel H. Cortés

Lo extraño es que en el plano original figuran 2 resistencias de 100 ohm en parelelo que les llama 100E, que logran los 50 ohm tipico de lineas de transmision, y si tiene esos 2 capacitores que sumen 20nF a tierra evitaria que la rf circule hacia el regulador de voltaje. Voy a intentar con una VK200 a ver que pasa. Gracias!

En la hoja de datos del BLF177 las dos resistencias están marcadas como de 31.6 Ohms a 1 watio y no aparece el choke que yo estoy acostumbrado a usar. En la fotografia esas resistencias parecen ser de .5 watios. Está interesante el tema. Manuel H. Cortés

Ahora me guie por el datasheet del MRF150 y cambie las 2 resistencias de 100 ohm, 1/4 w por una sola de 100 ohm y 1W mas la resistencia a tierra de 10K 1W y de igual manera levanta mucha temperatura al conectar el excitador con solo 4 a 5 vatios. Si lo dejo mucho tiempo seguramente se va a quemar.

Amigo, por lo que expresaste no has colocado el Mosfet final, entonces es lógico que toda la potencia del excitador se esté disipando en las resistencias de 100, mira e4n el circuito y veras que al poner el Mosfet este va a quedar en paralelo con las resistencias de bias si lo miras desde la excitacion, la potencia de rf entrará entonces al mosfet.

Si es cierto Miguel! tenes toda la razon!, yo tenia pensado que el MOSFET al tener alta impedancia de entrada no producia ningun efecto que estuviera presente. Ya esta soldado y todo!, arranque con 30V de alimentacion y sin tension de BIAS y no pasa nada, se mantiene apagado. El problema ahora es el ROE entre el excitador y la placa, si bien no se calienta ningun componente, no lo puedo bajar de 2:1 y hasta 3:1 por mas que ajuste los capacitores variables de entrada. No sei que modificar para dejarlo en 1:1. Gracias!

Bueno el lineal al final funciono bien, lo excito con 6W, lo alimento con 40V y el bias con 1,5V y le estoy sacando mas o menos segun medidor 60 a 70W con menos de 1.2:1 de ROE en antena bien calibrada. Me llamo la atencion la temperatura que levanta el transistor en la parte de la ceramica blanca que tiene, le tome una medida y se estabiliza en los 130° C. Ahora el paso seria llegar a los 100W minimo, no se si aumentar el bias a 1.8V y la alimentacion a 50V o levantar la potencia del excitador de entre 10 y 15W en la entrada. Saludos!

Creo que la solucion es un capacitor tipo unelco j101 de 33 a 68 pf directamente soldado del drain a masa,para bajar la impedancia de salida,el MRF150 es para banda ancha,tienen ganancias distintas segun frecuencias 14 db para 30 mhz y 8dB para 150MHZ,por lo que la potencia de entrada tendra que ser para fm,de 6 a 10 para 100 whats,ok, ahora segun las recomendaciones se deben unir las dos masas o fuentes con una lamina metalica plateada entre tornillos por ejemplo por encima de la ceramica,o unir los tornillos a masa con terminales soldados a la masa de la placa para evitar las altas inductancias,el recalentamiento del transistor de debe a que no esta bien adaptado en la salida y deberas hacerlo segun especificaciones del fabricante,el circuito que precentas es solo adecuado para el MRF151 Y NO PARA EL MRF150,DEBES VER ADEMAS SINO ESTA OSCILANDO,con radiofrecuencia aplicada,mi recomendacion es aplicar a manera de filtro un capacitor 270 pf unido a una bobina  de dos vueltas de diametro 6mm, esta a masa desde el colector,la manera de ver las oscilaciones es con un osciloscopio digital o analizador de espectro,y luego filtrar el circuito,por ejemplo.Yo tengo un problema similar con el MRF150,que venia colocado en placa,el cual era incorrecto porque su driver  un rd15vhf1 solo daba menos de 2w,tarde me di cuenta y ya realizada la compra pienso seguir adelante,pero colocando un pre driver al rd15vhf1,para conseguir al menos 5w ,lo peor que el cliente quiere al menos 100w y debo evitar el estres de ese transistor,pues calienta mucho la ceramica,lo que me preocupa muchisimo,tienen alguna opinion al respecto?