Olá Em um transistor bipolar, o VCE, sendo saturado, deve ter um valor próximo de 0,7v (como diodos ativos) ou outra voltagem? Eu estava simulando no proteus, isis, um circuito que usa o BD433 da npn e isso me dá essa tensão. Na folha de dados do componente, há um gráfico de VCE (sat) com base em Ic e em 2A essa tensão deve ser de 0,2v. Acontece que na folha de dados, vce (sat) também diz: Typ 0.2v Max 0.7v O simulador terá a tensão máxima 0,7 carregada em vez de VCE (sat), dependendo de Ic? Ou há algo que eu não entendi?

Aqui você tem uma curva desse transistor fornecida por um fabricante, especialmente para o seu dispositivo. Considera que uma escala logarítmica está sendo usada, o transistor pode suportar até 4 [A], portanto, para 2 [A] o Vsat está na ordem de 200 [mV].

Diego. Em relação ao primeiro parágrafo da sua pergunta. De fato, a tensão direta VF na junção PN de um diodo de silício é de aproximadamente 0,7 V. Os transistores são compostos por duas junções ou diodos, BE e BC, o coletor-emissor NÃO é um diodo, portanto a tensão de saturação VCE (sat) pode ser 0,2 e quando a corrente aumenta, a tensão aumenta conforme indicado pelo fabricante.