Se puede reemplazar un irf540 por un irfb52n15d o algún reemplazo diferente.
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Hojas de Datos de Componentes
Reemplazo de irf540
38.158
hace 1 año
hace 1 año
Estimado buen día
Le adjunto el Datasheet de Transistor mencionado
Espero le sea útil información
Respecto a su consulta sobre la posibilidad de usar el Transistor mencionado cómo reemplazo por las características si puede usar
Y hay muchos otros que se pueden usar
Saludos
Buen día
Suerte
Número de Parte: IRF540
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 59(max) nC
Tiempo de subida (tr): 60(max) nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800(max) pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Número de Parte: IRFB52N15D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 51 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 47 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 590 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Le adjunto el Datasheet de Transistor mencionado
Espero le sea útil información
Respecto a su consulta sobre la posibilidad de usar el Transistor mencionado cómo reemplazo por las características si puede usar
Y hay muchos otros que se pueden usar
Saludos
Buen día
Suerte
Número de Parte: IRF540
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 59(max) nC
Tiempo de subida (tr): 60(max) nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800(max) pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Número de Parte: IRFB52N15D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 51 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 47 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 590 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
hace 1 año
Gracias boy a usar el irfb52n15d es para un amplificador car audio le agradezco que me ayudara, SALUDOS.
28.737
hace 1 año
a hola estimado german como siempre muy buen aporte le mando saludos cordiales desde españa es usted un crack je je feliz tarde salva ok.
28.737
hace 1 año
igual estimado german ya vamos a cenar y luego dormir sea muy feliz a todas y todos ok.
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