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Amigos, no se muy bien cuales son las lecturas que debo tener de un Mosfet al medirlo con un tester digital, quiero decirrle que es un F11NM80, al realizar las medidas fueron las siguientes:
Coloquè el tester digital en la escala de probador de diodo
Unì los tres pines con un metal
Coloquè la punta de prueba + del tester en source y la negra en el drain, y me midio 512
posteriormente a unir los tres pines con un metal y carge el Gate, colocando la punta + del tester en la GATE y el - en Source más o menos por tres segundos.
posteriormente, volvi a colocar el positivo source, y el negativo en drain y midio 226 pero al tenerlo la lectura iva subiendo hasta llegar a 506, necesito saber si hice bien el procedimiento, y si el transistor esta bueno o no, gracias amigos
Hola.
Comprueba con multìmetro su estado, con el mismo procedimiento que el IRF634 (mosfet N , con diodo de protecciòn interno, y la misma distribuciòn de pines).
Saludos
Gracias hermano, quiero decirte que las mediciones realizadas midieron igual al ejemplo que me dio, todo hice igual y midió los 519 de d y s, dime si quiere decir que esta bueno o no
Hola Cipiano.
Correcto, està en buen estado entonces.
Recuerda, que esos 519 que te indica el display, corresponden a la caìda de tensiòn de la juntura P-N del diodo interno de protecciòn.(lectura en polarizaciòn directa-Positivo en el ànodo y negativo en el càtodo)
En los semiconductores de silicio , la misma puede ser 0,6v (600 )y estarìa bien tambièn(no necesariamente debe ser 0,519 V (519 en el display),(te ha dado justo igual de casualidad solo eso) lo importante es que al invertir las puntas de tu multìmetro, ( en polarizaciòn inversa) no tengas lectura alguna.
Si mides con un multìmetro diferente, podrìas leer por ejemplo 560(por decir algo).
Los instrumentos , segùn su calidad, pueden arrojar lecturas con pequeñas diferencias al medir un diodo, pero "nunca grandes diferencias".
Los diodos internos , tambìen tienen en su estructura interna, diferencias en el dopaje del material (P -mayor concentraciòn de huecos) o ( N- mayor cantidad de electrones libres)
Saludos