La resistencia de base es muy pequeña, en casos en los que la Ic es muy grande y las betas de los transistores son pequeñas, es preferible utilizar un arreglo Darlington.
Coloca un transistor 2N222 (o similar con una alta beta). Multiplica la beta del 2n222 por la beta del transistor de potencia y con el resultado, vuelve a calcular la resistencia de base.
Tengo un MTP3055E cree que me sirva?
Estoy investigando el arreglo Darlington. sigo aqui solo que investigo todo lo que me dicen
El TIP141 tiene una hFE de 500 en (IC = 5.0 A, VCE = 4.0 V) y 1000 en (IC = 10 A, VCE = 4.0 V) tengo la duda de si el VCE me sirve ya que son 12V los que pasaran por alli. Gracias de antemano.
Hola Eduardo,
el TIP 141 si te sirve. La Vce máxima está por los 60V. La Vce = 4.0V es la del ensayo para la Hfe.
Pero por otro lado, la Vce(sat) para 10A está sobre 1,5V máximo. Con lo que a la carga le llegará 10,5V. Es lo malo de los transistores darlington, tienen una Vce(sat) mayor que uno normal
El mosfet que comentas, MTP3055, creo que sería una buena opción. Con una RDSon menor de 100mOhms, a 6A según fabricante, tendrás una caída de tensión en él de unos 450mV
Si te decides por el mosfet, ten en cuenta ponerle una resistencia a masa en la Gate
Saludos
Muchas gracias voy a investigar todo lo relacionado al calculo de resistencia en gate en un mosfet
Aneto se lo agradezco mucho!
Tengo estos calculos hechos:
Si alguien pudiera hecharle una ojeada se lo agradeceria mucho!
VGS = +-20V
RDS = 0.15 ohms segun el datasheet
IDS = VDS / RDS(on) = 12V / 0.15 ohms = 80mA
IC = IDS
IB = IC / β = 0.080A / 20 = 0.004A
PD = VDS * IDS = 12V * 80mA = 0.96W
Rb = Ub / Ib = 12V / 0.004A = 3000 ohms
PD = Potencia disipada.
TJ = Temperatura de la union.
TA = Temperatura del ambiente.
RTH = Resistencia termica del mosfet
TJ = TA + PD * RTH
TJ = 25 + 0.96 * (1.25+62.5)
TJ = 31.12 grados C.
Es toda la informacion que he encontrado. Muchisimas Gracias!
Hola Eduardo.
IDS no se calcula así. A demas, según tu suposición sería 80A, no 80mA.
La IDS la va a determinar la carga conectada a drenador, en tu caso la celda peltier junto con la cdt de la RDSon
Por otro lado, un mosfet en conmutación se determina un valor minimo de tensión en puerta para garantizar la corriente de drenador máx. necesaria despreciando la corriente de puerta que es casi nula. Ese cálculo de Ib y Rb no son correctos
Te lo agradezco mucho Aneto. Entonces las formulas de Ib y Rb no son correctas, voy a investigar eso. Muchas Gracias
Hola Aneto buena noche, una pregunta el tip41CG que use al principio si estaban bien los calculos verdad?
Entonces seria Ib = I / hFE = 5A / 15 = 0.333 lo cual me daria la corriente de base.
Si quisiera saber la potencia de la resistencia seria: P = V^2 / R = 12^2 / 46 ohms = 3.13 W si seria correcto? verdad
Muchas gracias compañero Aneto!
Hola. Sí pero como lo habías hecho en tus cálculos iniciales del esquema. La tensión en la resistencia son 11,3V aprox (12V-Vbe) y la resistencia no son 46 ohms. Son 11,3V/0.33A = 34ohms si tomas 15 como hfe para saturar el transistor. La potencia de la resistencia sería mayor
Te lo agradezco mucho Aneto! entonces serian 12^2V / 34 ohms = 4.2W con una resistencia de 34ohms y 6W seria suficiente, de nuevo muchas gracias!
Aneto podria hacerle una pregunta? es que el transistor no satura, no hay comunicacion entre el colector y el emisor, lo probe afuera y funciono, lo puse en el equipo y falla, estoy checando los calculos, y tenia una duda en el Ic la celda Peltier marca que es de 4A, pero al conectarla solo da 0.6A queria preguntarle cual de los dos datos uso para el Ic. Muchisimas gracias!
Hola, primero de todo confirma la corriente de funcionamiento de la celda conectándola diréctamente a su alimentación. Es con esa corriente que tienes que calcular.
No sé si esos 0,6A son en funcionamiento con el transistor. Parece muy poco lo que indicaría que el transistor no satura como parece que te ocurre.
Si no satura el transistor, puede ser que el consumo de la celda sea superior al calculado.
Conectalo todo y mide tensiones. Vbe, en la celda, Vce, la fuente, etc
Muchisimas gracias Aneto, Vbe = 12.32V Vce = 12.15V Voltaje en fuente2: 12.32V Voltaje en fuente1: 12.16V Voltaje en celda Peltier: 11.1mV. Le puse una resistencia de 10W podria ser eso? muchisisimas gracias
Gracias Aneto, cuando inicio la celda Vce es 12.17V. Si lo logre iniciar la celda con una fuente variable conectada sustituyendo a la fuente2 todo conectado por fuera del equipo, funciono pero cuando uso la fuente original del equipo no inicia. Muchas gracias!
Las celdas conectadas a la fuente original dan 4A, yo estaba mal, si son 4A. Muchisimas gracias Aneto!