Hola. En un transistor bipolar, VCE ,estando saturado, deberia tener un valor cerca de 0.7v (como los diodos en directa) u otra tension?  Es que estaba simulando en proteus, isis, un circuito que usa npn's BD433 y me da esa tension. En el datasheet del componente hay un grafico de VCE(sat) en funcion de Ic y a 2A esa tension deberia ser 0.2v. Resulta que en el datasheet, vce(sat) tambien dice: Typ 0.2v Max 0.7v Sera que el simulador tiene cargada la tension maxima 0.7 en vez de VCE(sat) en funcion de Ic? O hay algo que no entendi?

Acá tenés una curva de este transistor dada por un fabricante ,  -para su dispositivo en especial-. Considera que se está usando una escala logaritmica , el transistor puede manejar hasta 4[A] , por tanto , para 2[A] la Vsat está en el orden de los 200[mV].

Diego. Respecto al primer párrafo de tu pregunta . Efectivamente el voltaje en sentido directo VF en la unión P-N de un diodo de silicio es aproximadamente 0.7 volts .El transistores se compone de dos uniones  o diodos, B-E y B-C , el colector-emisor NO es un diodo por esto el voltaje de saturación VCE(sat) puede ser 0.2 y al elevar la corriente sube el voltaje de acuerdo como lo indica el fabricante.